ウィスカ評価試験
目的
半導体デバイス及び電子デバイスの端子金属表面(メッキ層)に発生するひげ状の結晶が成長して短絡に至る故障モードに対する信頼性を評価します。
方法
応力が発生するメカニズムにより、5つのモードが存在します。
(1)内部応力型
目的 : |
母材の拡散による合金層形成や再結晶化等の応力発生に伴うウィスカ発生を評価します。 |
試験条件例 : |
30℃/60%、4000h |
参考規格例 : |
JEITA、JEDEC |
対応範囲 : |
30℃/60%耐湿槽、光学顕微鏡観察、SEM観察 |
(2)温度サイクル型
目的 : |
母材とメッキ材との線膨張係数の違いによる応力発生に伴うウィスカ発生を評価します。 |
試験条件例 : |
-40℃/85℃、1000サイクル |
参考規格例 : |
JEITA、JEDEC |
対応範囲 : |
-40℃/85℃温度サイクル槽、光学顕微鏡観察、SEM観察 |
(3)腐食型
目的 : |
酸化による応力発生に伴うウィスカ発生を評価します。 |
試験条件例 : |
55℃/85%、2000h |
参考規格例 : |
JEITA、JEDEC |
対応範囲 : |
55℃/85%耐湿槽、光学顕微鏡観察、SEM観察 |
(4)外部応力型
目的 : |
コネクタ勘合などの外圧による応力発生に伴うウィスカ発生を評価します。 |
試験条件例 : |
コネクタ評価 |
参考規格例 : |
なし |
対応範囲 : |
耐湿槽、温度サイクル槽、光学顕微鏡観察、SEM観察 |
(5)エレクトロマイグレーション型
目的 : |
エレクトロマイグレーションによる応力発生に伴うウィスカ発生を評価します。 |
試験条件例 : |
規定環境下にて通電評価 |
参考規格例 : |
なし |
対応範囲 : |
通電装置、光学顕微鏡観察、SEM観察 |