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半導体要素信頼性評価(EM評価/TDDB評価/WLR評価)

目的

半導体製品の品質は製造プロセスの品質に依存します。
製造プロセスの開発や変更、異常発生の際には信頼性への影響を確認するために、
ウエハ・素子レベルといった要素で品質確認が必要となります。

方法

EM評価、TDDB評価、N(P)BTI評価、HCI評価の実施により、半導体デバイスの要素について評価を致します。

EM評価 (Electromigration)

目的 : 導体に電流を流すことにより金属イオンが移動する現象
試験条件例 : (50℃)60℃~250℃
参考規格例 : EIA/JESD33-B、EIA/JESD63 JESD87
対応範囲 : ■対応可能ストレス電流
MAX 50mA/追従電圧20V
MAX 100mA/追従電圧50V
MAX 500mA/追従電圧30V
■DILC-24PIN、28PIN対応
IL:1(1) /VL:4(4) /VL:8(8) /VL:12(12)

※ピンアサイン違いの試験ボードもありますので、ご依頼時にご確認下さい。

TDDB評価(Time Dependent Dielectric Breakdown )

目的 : 酸化膜(絶縁膜)の経時破壊現象
試験条件例 : 50℃~250℃
参考規格例 : JESD35-A、EIAJ-988
対応範囲 : ■対応可能ストレス電圧
MAX 50V/163個
MAX 200V/48個
■DILC-24PIN、28PIN対応
VL:1 /VH:12
■電流検出精度
50V電源:1nA(1E-10A)~10mA(1E-3A)
200V電源:1nA(1E-10A)~1mA(1E-4A)

WLR評価(Wafer Level Reliability)

試験条件例 : -40℃~150℃
参考規格例 : -
対応範囲 : マニピュレーター方式:(タングステン、針先φ10um x 4本)
対応可能ウエハサイズ:6,8,12インチ
計測器:KEYSITE 4156(半パラ/パラアナ)

■ウエハ断面略図                  ■セラミックパッケージ               

 

 

■EM評価仕様/評価結果
試験結果から、累積寿命分布を引き膜厚、許容電流値等のパラメータから寿命推定を行います。

■TDBB評価仕様/評価結果
試験結果から、ワイブル分布を引き膜厚や判定電圧等のパラメータからM値や寿命推定を行います。

■WLR評価仕様/評価結果
3ストレス電圧条件からIdsの劣化特性取得し、HCI/NBTIの寿命推定を行います。

 

 

是非、ご検討を宜しくお願い致します。

ご相談、問合せをお待ちしております。

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