半導体要素信頼性評価 (EM評価/TDDB評価/WLR評価)
目的
半導体製品は、製造プロセスの品質に依存します。製造プロセス開発/変更/異常の際は、ウエハ・素子レベルでの
要素信頼性試験が必要となります。
方法
EM評価、TDDB評価、WLR評価により、半導体デバイスの要素について評価をいたします。
各種半導体デバイスの要素信頼性試験ついて経験が豊富であり、ウエハを支給いただくだけで、
セラミックPKG組立 ~ 信頼試験実施 ~ 結果報告まで対応することができます。
EM評価 (Electromigration)
目的 : | 導体に電流を流すことにより金属イオンが移動する現象 |
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試験条件例 : | (50℃)60℃~250℃ |
参考規格例 : | EIA/JESD33-B、EIA/JESD63 JESD87 |
対応範囲 : | ■対応可能ストレス電流 MAX50mA/追従電圧20V MAX100mA/追従電圧50V MAX500mA/追従電圧30V ■DILC-24PIN、28PIN対応 IL:1(1) /VL:4(4) /VL:8(8) /VL:12(12) |
TDDB評価 (Time Dependent Dielectric Breakdown)
目的 : | 酸化膜 (絶縁膜) の経時破壊現象 |
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試験条件例 : | 50℃~250℃ |
参考規格例 : | JESD35-A、EIAJ-988 |
対応範囲 : | ■対応可能ストレス電圧 MAX50V/163個 MAX200V/48個 ■DILC-24PIN、28PIN対応 VL:1 /VH:12 ■電流検出精度 50V電源:1nA(1E-10A)~10mA(1E-3A) 200V電源:1nA(1E-10A)~1mA(1E-4A) |
WLR評価 (Wafer Level Reliability)
試験条件例 : | -40℃~150℃ |
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参考規格例 : | - |
対応範囲 : | ■マニピュレーター方式 タングステン、針先φ10umx4本 ■対応可能ウエハサイズ 6,8,12インチ ■計測器 KEYSITE 4156 (半パラ/パラアナ) |
ウエハ断面略図 セラミックパッケージ
■EM評価仕様/評価結果
試験結果から、累積寿命分布を引き、膜厚や許容電流値等のパラメータから寿命推定を行います。
■TDBB評価仕様/評価結果
試験結果から、累積寿命分布を引き、膜厚や許容電流値等のパラメータから寿命推定を行います。
■WLR評価仕様/評価結果
試験結果から、ワイプル分布を引き、膜厚や判定電圧値等のパラメータからM値や寿命推定を行います。