半導体要素信頼性評価(EM評価/TDDB評価/WLR評価)
目的
半導体製品の品質は製造プロセスの品質に依存します。
製造プロセスの開発や変更、異常発生の際には信頼性への影響を確認するために、
ウエハ・素子レベルといった要素で品質確認が必要となります。
方法
EM評価、TDDB評価、N(P)BTI評価、HCI評価の実施により、半導体デバイスの要素について評価を致します。
EM評価 (Electromigration)
| 目的 : | 導体に電流を流すことにより金属イオンが移動する現象 |
|---|---|
| 試験条件例 : | (50℃)60℃～250℃ |
| 参考規格例 : | EIA/JESD33-B､EIA/JESD63 JESD87 |
| 対応範囲 : | ■対応可能ストレス電流 MAX 50mA/追従電圧20V MAX 100mA/追従電圧50V MAX 500mA/追従電圧30V ■DILC-24PIN、28PIN対応 IL:1(1) /VL:4(4) /VL:8(8) /VL:12(12) |
※ピンアサイン違いの試験ボードもありますので、ご依頼時にご確認下さい。
TDDB評価(Time Dependent Dielectric Breakdown )
| 目的 : | 酸化膜（絶縁膜）の経時破壊現象 |
|---|---|
| 試験条件例 : | 50℃～250℃ |
| 参考規格例 : | JESD35-A､EIAJ-988 |
| 対応範囲 : | ■対応可能ストレス電圧 MAX 50V/163個 MAX 200V/48個 ■DILC-24PIN、28PIN対応 VL:1 /VH:12 ■電流検出精度 50V電源：1nA(1E-10A)～10mA(1E-3A) 200V電源：1nA(1E-10A)～1mA(1E-4A) |
WLR評価(Wafer Level Reliability)
| 試験条件例 : | -40℃～150℃ |
|---|---|
| 参考規格例 : | - |
| 対応範囲 : | マニピュレーター方式:(タングステン、針先φ10um x 4本) 対応可能ウエハサイズ:6,8,12インチ 計測器:KEYSITE 4156(半パラ/パラアナ) |
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■ウエハ断面略図 ■セラミックパッケージ
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■EM評価仕様/評価結果
試験結果から、累積寿命分布を引き膜厚、許容電流値等のパラメータから寿命推定を行います。
■TDBB評価仕様/評価結果
試験結果から、ワイブル分布を引き膜厚や判定電圧等のパラメータからM値や寿命推定を行います。
■WLR評価仕様/評価結果
3ストレス電圧条件からIdsの劣化特性取得し、HCI/NBTIの寿命推定を行います。
是非、ご検討を宜しくお願い致します。
ご相談、問合せをお待ちしております。