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  2. 信頼性試験
  3. 半導体要素信頼性評価 (EM評価/TDDB評価/WLR評価)

半導体要素信頼性評価 (EM評価/TDDB評価/WLR評価)

目的

半導体製品は、製造プロセスの品質に依存します。製造プロセス開発/変更/異常の際は、ウエハ・素子レベルでの
要素信頼性試験が必要となります。

方法

EM評価、TDDB評価、WLR評価により、半導体デバイスの要素について評価をいたします。
各種半導体デバイスの要素信頼性試験ついて経験が豊富であり、ウエハを支給いただくだけで、
セラミックPKG組立 ~ 信頼試験実施 ~ 結果報告まで対応することができます。

EM評価 (Electromigration)

目的 : 導体に電流を流すことにより金属イオンが移動する現象
試験条件例 : (50℃)60℃~250℃
参考規格例 : EIA/JESD33-B、EIA/JESD63 JESD87
対応範囲 : ■対応可能ストレス電流
MAX50mA/追従電圧20V MAX100mA/追従電圧50V MAX500mA/追従電圧30V
■DILC-24PIN、28PIN対応  IL:1(1) /VL:4(4) /VL:8(8) /VL:12(12)

TDDB評価 (Time Dependent Dielectric Breakdown)

目的 : 酸化膜 (絶縁膜) の経時破壊現象
試験条件例 : 50℃~250℃
参考規格例 : JESD35-A、EIAJ-988
対応範囲 : ■対応可能ストレス電圧
MAX50V/163個 MAX200V/48個
■DILC-24PIN、28PIN対応  VL:1 /VH:12
■電流検出精度
50V電源:1nA(1E-10A)~10mA(1E-3A) 200V電源:1nA(1E-10A)~1mA(1E-4A)

WLR評価 (Wafer Level Reliability)

試験条件例 : -40℃~150℃
参考規格例 : -
対応範囲 : ■マニピュレーター方式 タングステン、針先φ10umx4本
■対応可能ウエハサイズ 6,8,12インチ
■計測器 KEYSITE 4156 (半パラ/パラアナ)

                               ウエハ断面略図                                                                     セラミックパッケージ

 

■EM評価仕様/評価結果
試験結果から、累積寿命分布を引き、膜厚や許容電流値等のパラメータから寿命推定を行います。

■TDBB評価仕様/評価結果
試験結果から、累積寿命分布を引き、膜厚や許容電流値等のパラメータから寿命推定を行います。

■WLR評価仕様/評価結果
試験結果から、ワイプル分布を引き、膜厚や判定電圧値等のパラメータからM値や寿命推定を行います。

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