研磨

目的

PEM/OBIRCH解析等シリコン基板裏面から解析を行うための裏面研磨及び物理解析前処理のための表面研磨を行います。

方法

(1)裏面研磨

IC裏面研磨装置を使用し、パッケージ裏面のレジンから、Cu、シリコン基板を削り取り、最終的にシリコン基板裏面を鏡面研磨してPEM/OBIRCH解析等、裏面からの観察・解析が可能な状態に加工致します。

(2)除膜研磨

研磨装置（ディンプルグラインダ）を使用し、ICチップ表面の目的箇所を中心に同心円状に研磨します。約Φ10～100um範囲の観察を可能です。(配線プロセス・チップ加工箇所により、誤差が生じます)