SDL/LADA解析
目的
SDL(Soft Defect Localization)/LADA(Laser Assisted Device Alteration)は、レーザ照射を用いて、半導体デバイスの
マージン性不良位置を検出するものです。
方法
原理は、Pass/Fail境界状態にデバイスをセットし、そのデバイスにレーザを照射しながら、テスタでのPass/Fail判定させます。
SDLでは、波長1300nmの赤外レーザを用いて、配線部などを加熱させ、LADAは波長1064nmの近赤外レーザでトランジスタ部で電子/成功対を生成させます。高抵抗不良などのマージン性不良があれば、レーザの影響でPass/Failが変化し、その位置を可視化させることでマージン性不良位置を特定することができます。
SDL/LADA時のサンプル状態設定
SDL原理説明図
LADA原理説明図
