ナノプローバ解析
目的
ナノプローバ装置にて、解析サポート技術で研磨処理した試料のタングステンプラグに針当てを行い、発光解析等で同定した不良トランジスタの特性を直接測定致します。
方法
微小デバイス特性評価装置“ナノプローバ” にて、冷陰極電界放出形電子銃を搭載したFE-SEM（走査電子顕微鏡）内に、微細なタングステン製のプローブ（探針）6本を配置したプロービング（針当て）装置で、FE-SEMによる、リアルタイム像観察しながらのプロービングが可能な装置です。
FE-SEM内に配置された6本のプローブは、独立制御され、トランジスタを構成する｢ソース｣｢ドレイン｣｢ゲート｣｢基板｣等とつながったコンタクトにそれぞれ当てることで、半導体デバイス等の特性を測定したり、搭載オプションに応じた解析を行うことができます。
