発熱解析(LIT)

目的

半導体デバイス動作にともない発生する微弱な発熱を検出する事で、不良箇所を絞り込みます。

方法

端子間に電圧印加し、ショート,リーク個所での微弱な発熱を検出する事で、不良個所の特定を行います。さらにロックイン発熱解析装置では、ロックインパルスにて電圧を印加する事で発熱の拡散を防ぐことによる検出感度の向上および、発熱反応の周期から発熱箇所の深さを推定する事が出来ます。

高感度,高視野の発熱解析装置ELITEにて400Vまでの高電圧測定が可能となりました。
THEMOS-1000では、1500Vまで対応しております。