発光解析
目的
半導体デバイス動作にともない発生する微弱な発光を検出することで、ICチップ内部のショート、リーク、高抵抗等の不良箇所の絞り込を行います。
最新の浜松ホトニクス製 PHEMOS-X解析装置を導入いたしました。詳しくはお問合せ下さい。
方法
電源ーグランド間に流れる異常電流から不良に関わるMOSから発生するホットエレクトロンを捉え、不良位置を特定する解析手法です。
発光解析 発光反応事例
半導体デバイス動作にともない発生する微弱な発光を検出することで、ICチップ内部のショート、リーク、高抵抗等の不良箇所の絞り込を行います。
最新の浜松ホトニクス製 PHEMOS-X解析装置を導入いたしました。詳しくはお問合せ下さい。
電源ーグランド間に流れる異常電流から不良に関わるMOSから発生するホットエレクトロンを捉え、不良位置を特定する解析手法です。
発光解析 発光反応事例
