FIB断面解析

目的

不良位置等の特定位置について、数百μｍ～サブミクロンオーダーの断面作製、STEM・TEM観察用に薄膜加工した観察試料の作製を行います。

方法

• 数十kVに加速され放銃されたイオンビームをコンデンサレンズで集束、偏向電極によりビーム走査をおこない試料に照射します。
• SEM断面観察を行う場合、加工後に試料を傾斜させた状態で断面方向からの観察や分析ができる状態に加工します。
• STEM/TEM観察用の試料作製は観察箇所をμサンプリングし、電子線が透過可能な薄膜化加工をします。