CP解析
目的
はんだバンプ接合部の断面観察、ワイヤボンディング接合部の断面観察、広範囲（500μm範囲）のチップ拡散層状態観察等、機械研磨で難しい加工の歪み、だれ、凹凸の少ない仕上げ、加工時の試料ダメージが少ない綺麗な試料断面を作製を致します。
方法
試料直上に遮蔽板とよばれるスパッタリングされにくい材質の板を設置します。
断面観察を希望する位置に遮蔽板の端面をあわせ込み、Arイオンビームを試料に照射します。このとき、遮蔽板から突出した試料部分はスパッタリングされ、遮蔽板端面に沿って断面が露出いたします。ビーム加工時に、試料の加工レートの差で生じる凹凸を軽減させる為、ビーム照射時は試料と遮蔽板をスイングさせています。
CP加工後のSEM観察事例
