解析受託サービス
信頼性評価の不良、市場からの返却品など半導体の不具合箇所の特定、原因の究明に対して、お客様のご要望に迅速に対応致します。
サービス一覧
非破壊解析(一次解析)超音波顕微鏡、透過X線観察装置、カーブトレーサー等を使用しパッケージを開封せずに、非破壊(パッケージの状態)で試料内部構造の確認や電気特性についての不具合調査を行います。
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破壊解析パッケージを開封し、動作可能な状態での物理解析(位置特定、要因特定)を行います。開封を行わず、非破壊解析で確認された異常個所について、断面研磨、CP解析により直接異常個所の観察や解析をいたします。
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解析サポートFIB加工による半導体デバイスの回路修正や電気特性測定用パッド作製及び位置特定解析の為の裏面研磨やチップ表面各層研磨を行っています。 |
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故障位置特定デバイスの不良位置特定手法として、静的状態(非動作)の発光解析、IR-OBIRCH解析、発熱解析、半破壊状態のEBAC解析、ナノプローバ解析、動的状態(動作)のEOP/EOFM解析、SDL/LADA解析、高分解能TDRがあります。
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物理解析電子顕微鏡を用い半導体デバイスの形状観察、元素分析を実施し、故障要因の特定を行います。
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化学分析化学分析ではマクロな視点で、微量成分の濃度を正確に把握します。(測定濃度:10pg/mL(= 0.000000001%)~)高純度の試薬や超純水、清浄度の高いフッ素樹脂製の器具を使用し、極微量な成分の測定を行います。
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オンライン立ち会い解析装置のモニターをオンラインで直接リアルタイムにご覧いただけます。
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解析フロー
解析フローを示します。
解析装置
依頼内容によって、適した解析手法・解析装置を選択、試料の状態観察、または元素分析を行います。
装置名 | 使用用途・装置仕様など | 適用例 | |
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非破壊観察装置 | 超音波顕微鏡(SAT) | 超音波によるIC内部の非破壊観察 | 界面剥離・クラックの状態観察 |
透過X線観察装置 | X線によるIC内部の非破壊観察 | 構造及びボンディングワイヤー観察 | |
電気的特性測定装置 | カーブ・トレーサ/DC測定器 | 電圧印加によるV-I特性の測定 | リーク電流及び耐圧測定 |
IC開封装置 | 発煙硝酸Opener | 発煙硝酸による部分開封 | FIB加工用及び解析サンプルの作成 |
レーザー開封機 | レーザーによる部分開封 | Cuワイヤ製品の開封 | |
CP解析装置 | Cross section Polisher装置 SM-09010 / IM-4000 |
SM-09010 加工幅 400~700μm IM-4000 加工幅 800μm前後 |
SM-09010:SEM用試料の断面加工 IM-4000:SEM用試料の断面加工と平面ミリング |
解析サポート 回路修正 |
研磨装置(前処理) | チップ、パッケージの表面または裏面研磨 | FIB配線加工,解析の前処理 |
FIB回路修正装置 OptiFIB(Pt) OptiFIB(Mo) |
配線・回路修正/PAD作成 | IC回路修正とプローブポイント製作 | |
電気特性解析装置 | PEM(発光)解析装置 | 回路の故障箇所から発生する微小発光による解析手法 | リーク・ショート箇所の特定 |
IR-OBIRCH解析装置 | レーザー照射による故障箇所の発熱現象による解析手法 | リーク箇所や抵抗異常個所の特定 | |
EBAC解析装置 | SEM試料チャンバ内の微小Wプローバで電気的特性を測定 | オープン・高抵抗箇所の特定 | |
ナノプローバ | SEM試料チャンバー内の微小Wプローバで電気的特性を測定 | 単体MOS, Via抵抗等の電気特性の測定 | |
試料作製装置 | 集束イオンビーム加工観察装置(FIB)FB2100 | GaイオンによるSEM.TEM試料加工 印加電圧:40kV |
SEM,TEM用試料の断面加工 |
集束イオンビーム加工観察装置(FIB-SEM)DB235, NB5000 | GaイオンによるSEM.TEM試料加工とSEM観察 | SEM,TEM用試料の断面加工 Slice&View観察 |
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GATANディンプルグラインダ Model656 |
回転研磨による試料の薄膜化 平面研磨 | SEM,TEM用試料の断面加工 | |
反応性イオンエッチング装置 ES371 |
RIEプラズマによる異方性エッチング | ICチップの各種積層膜除去 前処理 | |
ウェットベンチ | 各種化学薬品を利用したエッチング | ICチップの各種積層膜除去 前処理 | |
観察装置 | 走査型電子顕微鏡(SEM) XL-30, S4800 |
二次電子による表面状態観察・形状観察 印加電圧:0.2kV~30kV(XL-30) 印加電圧:0.5kV~30kV(S4800) 観察倍率:数10倍~300k倍 |
表面形状,微小形状,断面形状等の観察 |
透過型電子顕微鏡(TEM) JEM-2100F, H9000,HF-3000 |
透過電子による形状観察・格子像観察 印加電圧:200/300kV,観察倍率:100倍~500k倍 |
ゲート形状,微小構造形状, 結晶欠陥等の観察 | |
走査透過型電子顕微鏡(STEM)HD2000,HD2300 | 二次・透過・散乱電子による形状観察 印加電圧:200kV, 観察倍率:100倍~500k倍 |
ゲート形状, 微小構造形状等の観察 | |
分析装置 | エネルギー分散型X線分析装置 (SEM-EDS, STEM-EDS) S4800, HD2000, HD2300 |
特性X線による元素分析, 検出下限:1%~ 【S4800】面方向分解能・深さ方向分解能:各数μm 【HD2000,HD2300】面方向分解能:数nm |
異物等の元素分析(点分析・マッピング) |
電子エネルギー損失分光分析装置 (STEM-EELS) HD2000, HF-3000 |
非弾性散乱電子のエネルギー損失による元素分析 面方向分解能:数nm, 検出下限:1%~ |
異物等の元素分析(点分析・マッピング) | |
オージェ電子分光分析(AES) PHI-680 |
試料の極表面元素分析, Arスパッタによる深さ方向元素分析, 検出下限:1%~ 面分解能:約1μm, 深さ分解能:約2μm |
ボンディングパッド・異物・金属表面変色部等の, 極表面の元素分析・深さ方向分析 |