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IR-OBIRCH解析

目的

半導体デバイス動作にともない、赤外レーザー照射による抵抗変化位置を検出することで、ICチップ内部のショート、リーク、高抵抗等の不良箇所の絞り込みます。

方法

電源ーグランド間に流れる異常電流状態中に、配線へレーザー照射することで局所的な温度変化を起こさせます。
温度変化から電源-グランド間に流れる電流に変化が生じ、その電流変化をレーザー走査に同期させて画像化する解析手法です。
不良部位では熱の影響を受けやすいため、電流変化が大きくなるため、不良位置を特定することができます。

  • OBIRCH解析原理模式図

    OBIRCH解析原理模式図

  • OBIRCH解析
    反応+パターンイメージ例

    OBIRCH解析 反応+パターンイメージ例

  • OBIRCH解析反応事例

    OBIRCH解析反応事例

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