1. 事業内容
  2. 故障位置特定
  3. 発熱解析

発熱解析

目的

半導体デバイス動作にともない発生する微弱な発熱を検出することで、不良箇所を絞り込みます。

方法

端子間に電圧印加し、ショート,リーク個所での微弱な発熱を検出し、不良個所の特定を行います。さらにロックイン発熱解析装置では、ロックインパルスにて電圧を印加する事で発熱の拡散を防ぐことによる検出感度の向上および、発熱反応の周期から発熱箇所の深さを推定する事が出来ます。

  • デバイス通電時の発熱箇所をInSbカメラにて検出

    デバイス通電時の発熱箇所をInSnカメラにて検出

  • ロックインパルスによる電圧印加電圧/周波数/Dutyを調整

    ロックインパルスによる電圧印加電圧/周波数/Dutyを調整

解析事例

  • ピン間ショートでの発熱確認

    ピン間ショートでの発熱確認

  • X線像との比較

    X線像との比較

  • 発熱箇所のX線像での詳細確認

    発熱箇所のX線像での詳細確認

  • 研磨による樹脂内ピン間異物の確認

    研磨による樹脂内ピン間異物の確認

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