EBAC解析
目的
デバイスに照射電子が配線に吸収された電流をプローブで検出し、ビアや配線の高抵抗/オープン不良位置やショート・リーク等の不良箇所の絞り込みを行います。
方法
サンプルに対して、電子ビームを2次元スキャン照射し、配線内に入り込んだ電子によって発生する吸収電流を、被疑配線に当てた針で検出、アンプで増幅、配線像を描画し、その像を見て不良の有無を判断する解析手法です。
デバイスに照射電子が配線に吸収された電流をプローブで検出し、ビアや配線の高抵抗/オープン不良位置やショート・リーク等の不良箇所の絞り込みを行います。
サンプルに対して、電子ビームを2次元スキャン照射し、配線内に入り込んだ電子によって発生する吸収電流を、被疑配線に当てた針で検出、アンプで増幅、配線像を描画し、その像を見て不良の有無を判断する解析手法です。