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解析受託サービス

信頼性評価の不良、市場からの返却品など半導体の不具合箇所の特定、原因の究明に対して、お客様のご要望に迅速に対応致します。

サービス一覧

解析受託サービス

非破壊解析(一次解析)

超音波顕微鏡、透過X線観察装置、カーブトレーサー等を使用しパッケージを開封せずに、非破壊(パッケージの状態)で試料内部構造の確認や電気特性についての不具合調査を行います。

サービス内容 特長
SAT

SAT(Scanning Acoustic Tomography)は 超音波によるIC内部の非破壊検査でレジン内の割れや剥離が観察できます。

X線解析

X線解析は透過X線観察装置によるIC内部の非破壊観察により内部構造の観察ができます。

電気特性(カーブトレーサ)

非破壊(パッケージの状態)でICの電気的な特性の確認、V-Iカーブの取得を行う事ができます。

破壊解析

パッケージを開封し、動作可能な状態での物理解析(位置特定、要因特定)を行います。開封を行わず、非破壊解析で確認された異常個所について、断面研磨、CP解析により直接異常個所の観察や解析をいたします。

サービス内容 特長
IC開封

ICの不良解析をする場合にはパッケージの樹脂を取り除いチップ・ワイヤーが観察できる状態にする必要があります。薬液と開封装置を使用し、目的に合わせ最適条件にて、チップ・ワイヤーへのダメージを最小限にした樹脂開封を行なう事ができます。解析動作可能な状態でチップの部分のみの開封も行います。

断面研磨

構造調査の為、非破壊解析ので異常個所をピンポイントに断面研磨を行い、観察することが出来ます。

CP解析

CP(CrosssectionPolisher)解析は、Arイオンビームにより試料への加工ダメージが少なく、FIB加工より広範囲な綺麗な断面作成を行います。

FIB断面解析

FIB(Focused Ion Beam)断面解析は、Gaイオンビームによるスパッタリング加工により、SEM・STEM・TEM観察用の試料作成を行います。

解析サポート

FIB加工による半導体デバイスの回路修正や電気特性測定用パッド作製及び位置特定解析の為の裏面研磨やチップ表面各層研磨を行っています。

サービス内容 特長
回路修正

FIB(Focused Ion Beam)装置にて、数nmまで細く絞ったイオンビームで試料表面を走査することにより、サブミクロンのスパッタリング加工、デポジション加工を行います。

研磨

PEM/OBIRCH解析等シリコン基板裏面から解析を行うための裏面研磨及び物理解析前処理のための表面研磨を行います。

故障位置特定

デバイスの不良位置特定手法として、静的状態(非動作)の発光解析、IR-OBIRCH解析、発熱解析、半破壊状態のEBAC解析、ナノプローバ解析、動的状態(動作)のEOP/EOFM解析、SDL/LADA解析があります。

サービス内容 特長
発光解析

発光解析(Photo Emission Microscope )は半導体デバイス動作にともない発生する微弱な発光を検出することで、不良箇所を絞り込みます。

IR-OBIRCH解析

OBIRCH解析(Optical Beam Induced Resistance Change)は半導体デバイス動作にともない、赤外レーザー照射による抵抗変化位置を検出することで、不良箇所を絞り込みます。

発熱解析

発熱解析は半導体デバイス動作にともない発生する微弱な発熱を検出することで、不良箇所を絞り込みます。

EBAC解析

EBAC解析(Electron Beam Absorbed Current)はデバイスに照射電子が配線に吸収された電流をプローブで検出し、ビアや配線の高抵抗/オープン不良位置やショートしている箇所を絞り込みます。

ナノプローバ解析

ナノプローバ装置にて、解析サポート技術で研磨処理した試料のタングステンプラグに針当てを行い、発光解析等で同定した不良トランジスタの特性を直接測定致します。

EOP/EOFM解析

EOP(Electro Optical Probing)とEOFM(Electro Optical Frequency Mapping)は半導体デバイス内部の動作解析を行う手法です。

SDL/LADA解析

SDL(Soft Defect Localization)とLADA(Laser Assisted Device Alteration)は、レーザ照射を用いて、半導体デバイスのマージン性不良位置を検出します。

物理解析

電子顕微鏡を用い半導体デバイスの形状観察、元素分析を実施し、故障要因の特定を行います。

サービス内容 特長
SEM観察

走査電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope)は試料に電子線を照射し、放出される二次電子及び反射電子を検出し結像させる装置です。主に試料表面の凹凸や組成に起因した像及び電位コントラスト像を観察できます。

TEM/STEM解析

透過形電子顕微鏡(Transmission Electron Microscope)/走査透過形電子顕微鏡(Scanning Transmission Electron Microscope)は薄片化した試料に電子線を照射し、透過した電子線を結像させる装置です。主に形状、結晶性、組成に起因した像を観察できます。

XRT

XRT(X-ray Diffraction Topogrphy)で試料を透過した強力なエックス線の回折効果を利用し、ウェハ内の格子欠陥を観察できます。

EDS

エネルギー分散型X線分光法 (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)は試料に電子線を照射し発生した特性X線のエネルギを検出器で測定することにより元素の定性・定量を行います。

EELS

電子エネルギー損失分光法(Electron Energy Loss Spectroscopy)は薄片化した試料に電子線を照射し、試料と電子線の相互作用により損失した電子のエネルギーを測定することで元素及び結合状態を特定します。

AES

オージェ電子分光法(Auger Electron Spectroscopy)は試料に電子線を照射し、試料表面数原子層から放出されるオージェ電子のエネルギーを測定し元素の定性・定量を行います。

化学分析

化学分析ではマクロな視点で、微量成分の濃度を正確に把握します。(測定濃度:10pg/mL(= 0.000000001%)~)高純度の試薬や超純水、清浄度の高いフッ素樹脂製の器具を使用し、極微量な成分の測定を行います。

サービス内容 特長
元素分析

主に電子材料の微量金属成分をICP質量分析(ICP-MS)、ICP発光分析(ICP-OES)を用い定量します。

イオン成分分析

主に電子材料や製造工程内の雰囲気のイオン成分を、イオンクロマトグラフを用い定量します。

有機物分析

異物や材料の有機成分を顕微FT-IR を用いて、推定します。

無機主成分分析(非破壊)

梱包材や材料に含まれる成分をエネルギー分散型蛍光X線分析装置により定性・定量します。

解析フロー

解析フローを示します。

解析フロー

解析装置

依頼内容によって、適した解析手法・解析装置を選択、試料の状態観察、または元素分析を行います。

装置名 使用用途・装置仕様など 適用例
非破壊観察装置 超音波顕微鏡(SAT) 超音波によるIC内部の非破壊観察 界面剥離・クラックの状態観察
透過X線観察装置 X線によるIC内部の非破壊観察 構造及びボンディングワイヤー観察
電気的特性測定装置 カーブ・トレーサ/DC測定器 電圧印加によるV-I特性の測定 リーク電流及び耐圧測定
IC開封装置 発煙硝酸Opener 発煙硝酸による部分開封 FIB加工用及び解析サンプルの作成
エア・ブラスト アルミナ噴流による掘削加工 発煙硝酸で開封不可能なサンプルの加工
レーザー開封機 レーザーによる部分開封 Cuワイヤ製品の開封
CP解析装置 Cross section Polisher装置
SM-09010 / IM-4000
SM-09010 加工幅 400~700μm
IM-4000 加工幅 800μm前後
SM-09010:SEM用試料の断面加工
IM-4000:SEM用試料の断面加工と平面ミリング
解析サポート
回路修正
研磨装置(前処理) チップ、パッケージの表面または裏面研磨 FIB配線加工,解析の前処理
FIB回路修正装置
OptiFIB(Pt)
OptiFIB(Mo)
配線・回路修正/PAD作成 IC回路修正とプローブポイント製作
電気特性解析装置 PEM(発光)解析装置 回路の故障箇所から発生する微小発光による解析手法 リーク・ショート箇所の特定
IR-OBIRCH解析装置 レーザー照射による故障箇所の発熱現象による解析手法 リーク箇所や抵抗異常個所の特定
EBAC解析装置 SEM試料チャンバ内の微小Wプローバで電気的特性を測定 オープン・高抵抗箇所の特定
ナノプローバ SEM試料チャンバー内の微小Wプローバで電気的特性を測定 単体MOS, Via抵抗等の電気特性の測定
試料作製装置 集束イオンビーム加工観察装置(FIB)FB2100 GaイオンによるSEM.TEM試料加工
印加電圧:40kV
SEM,TEM用試料の断面加工
集束イオンビーム加工観察装置(FIB-SEM)DB235, NB5000 GaイオンによるSEM.TEM試料加工とSEM観察 SEM,TEM用試料の断面加工
Slice&View観察
GATANディンプルグラインダ
Model656
回転研磨による試料の薄膜化 平面研磨 SEM,TEM用試料の断面加工
反応性イオンエッチング装置
ES371
RIEプラズマによる異方性エッチング ICチップの各種積層膜除去 前処理
ウェットベンチ 各種化学薬品を利用したエッチング ICチップの各種積層膜除去 前処理
観察装置 走査型電子顕微鏡(SEM)
XL-30, S4800
二次電子による表面状態観察・形状観察
印加電圧:0.2kV~30kV(XL-30)
印加電圧:0.5kV~30kV(S4800)
観察倍率:数10倍~300k倍
表面形状,微小形状,断面形状等の観察
透過型電子顕微鏡(TEM)
JEM-2100F,
H9000,HF-3000
透過電子による形状観察・格子像観察
印加電圧:200/300kV,観察倍率:100倍~500k倍
ゲート形状,微小構造形状, 結晶欠陥等の観察
走査透過型電子顕微鏡(STEM)HD2000,HD2300 二次・透過・散乱電子による形状観察
印加電圧:200kV, 観察倍率:100倍~500k倍
ゲート形状, 微小構造形状等の観察
結晶欠陥解析装置 X線トポグラフィ
M21X
X線の回折効果を用い,結晶中の格子異常を観察
撮影可能ウェハサイズ:~12インチ
格子欠陥等の面内分布解析
分析装置 エネルギー分散型X線分析装置
(SEM-EDS, STEM-EDS)
S4800, HD2000, HD2300
特性X線による元素分析, 検出下限:1%~
【S4800】面方向分解能・深さ方向分解能:各数μm
【HD2000,HD2300】面方向分解能:数nm
異物等の元素分析(点分析・マッピング)
電子エネルギー損失分光分析装置
(STEM-EELS)
HD2000, HF-3000
非弾性散乱電子のエネルギー損失による元素分析
面方向分解能:数nm, 検出下限:1%~
異物等の元素分析(点分析・マッピング)
オージェ電子分光分析(AES)
PHI-680
試料の極表面元素分析, Arスパッタによる深さ方向元素分析, 検出下限:1%~
面分解能:約1μm, 深さ分解能:約2μm
ボンディングパッド・異物・金属表面変色部等の, 極表面の元素分析・深さ方向分析
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